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應用分享 | 使用高分辨率表面光電壓(SPV)光譜分析SiC晶圓的表面質(zhì)量

瀏覽次數:210發(fā)布日期:2024-05-29

具有寬帶隙的碳化硅基半導體,在制備各種高頻、高溫和大功率電子器件方面具有非常有前景。因此,提高SiC晶圓的質(zhì)量,解決SiC制造工藝的高成本和低成品率是目前工業(yè)生產(chǎn)緊迫的問(wèn)題之一[1]。而對于在線(xiàn)批量生產(chǎn),檢測SiC晶圓的質(zhì)量不能不能對其表面產(chǎn)生損傷,因此需要使用高分辨率、非破壞性表面檢測技術(shù)。

表面光電壓(SPV)技術(shù)是一種研究光活性材料中電荷分離和轉移過(guò)程的先進(jìn)方法[2]。光生載流子在空間上的分離和表面光生載流子的演化有關(guān)。因此,該技術(shù)靈敏度高、非接觸式并且在表面監測中不具有破壞性。此外,它還適用對由于時(shí)間和波長(cháng)變化而導致的更復雜電荷分離過(guò)程的分析與理解[3]。

本文展示了使用Freiberg Instruments GmbH生產(chǎn)的新型緊湊型非接觸式高分辨率SPV光譜(HR-SPS),采用固定能量激發(fā)源獲得的SPV信號強度和弛豫時(shí)間常數圖。檢測晶圓大直徑可達300 mm,該系統配備了X-Ymapping和Z軸距離控制裝置,不同波長(cháng)的光通過(guò)小孔引導至樣品。采用固定電容方式收集信號。

根據要研究的材料選擇光源:使用一組能量略高于和略低于材料帶隙的光源來(lái)研究缺陷和摻雜分布是有效的。對于SiC晶圓,建議使用320 nm至500 nm范圍內的光源。將測量頭移置在晶圓上方0.3 mm的固定距離處,并使用兩內置的375 nm和450 nm光源以及一個(gè)外置的355 nm紫外激光器,空間分辨率(每?jì)纱螠y量之間的距離)固定為1 mm(為了獲得更好的信號質(zhì)量,可以改為 0.1 mm)。200 mm晶圓(標準1 mm分辨率)的完整mapping通常需要大約30分鐘。

表面光電壓信號強度是,使用具有低寄生電容和高信噪比的電容器讀出電路進(jìn)行電子測量。所有測量都涉及用激光照射SiC半導體以產(chǎn)生飽和的非平衡載流子,此過(guò)程中表面光電壓信號達到高值。照射停止后,新生成的載流子會(huì )經(jīng)歷一個(gè)可持續數百毫秒的弛豫過(guò)程[4]。通過(guò)觀(guān)察關(guān)激光后表面光電壓信號如何隨時(shí)間變化,可以獲得有關(guān)材料的有價(jià)值的信息。

實(shí)驗結果顯示了晶圓表面質(zhì)量(拋光晶圓(未蝕刻)、蝕刻粗糙表面、精磨和粗磨表面)之間的差異。例如,使用帶隙附近的多個(gè)光源測量的4H-SiC晶圓拋光輪顯示出非常清晰的圖案(見(jiàn)圖1)。研究了一致的模式,即表面質(zhì)量的巨大差異:較高的SPV信號幅度表明更好的表面質(zhì)量,大的時(shí)間常數意味著(zhù)樣品中明顯存在陷阱。

綜上所述,該技術(shù)可用于研究SiC晶圓中的缺陷、測量摻雜濃度水平和摻雜濃度水平變化以及亞表面損傷,并為在無(wú)晶圓和無(wú)晶圓生產(chǎn)線(xiàn)中快速、高效應用奠定良好的基礎。層損傷。

作者要感謝 T. Dittrich 和 S. Fengler(Helmholtz-Zentrum Berlin)、I. Ellebrecht 和 K. Gottfried(ErzM-Technologies UG)以及 L. Grieger(Malvern Panalytical)進(jìn)行了富有成效的討論并提供了 SiC 晶片和 以及 BMWI 和 ZIM 提供資金。

圖 1. 使用 355 nm(左)、375 nm(中)和 450 nm(右)紫外激光測量的帶有拋光輪圖案的 SiC 晶圓的 SPV 信號高度圖。

參考文獻:

[1]   P.-C. Chen et al., Nanoscale Research Letters 17(1), 30 (2022).

[2]   T. Dittrich, S. Fengler, Surface photovoltage analysis of photoactive materials (World Scientific, 2020), p. 287.

[3]   R. Chen, F. Fan, Th. Dittrich and C. Li, Chem. Soc. Rev. 47, 8238 (2018).

[4]   T. Clausen, N. Schüler, K. Dornich, presented at the ICSCRM2023, Sorrento, Italy, 2023 (unpublished).


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